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指互补金属氧化物(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺。
中文全称
互补金属氧化物半导体
英文全称
Complementary Metal Oxide Semiconductor
简称
CMOS

CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor? )指互补金属氧化物(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺。

CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。CMOS中的C表示“互补”,即将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一硅衬底上,制作CMOS集成电路。

特点:
CMOS集成电路具有功耗低、速度快、抗干扰能力强、集成度高等众多优点。它的最大特点的是低功耗,由于COMS中一对MOS组成的门电路在瞬间看,要么PMOS导通,要么NMOS导通,要么都截至,比线性的三极管(BJT)效率要高得多,因此功耗很低!


CMOS工艺目前已成为当前大规模集成电路的主流工艺技术,绝大部分集成电路都是用CMOS工艺制造的。


工艺:
CMOS电路中既包含NMOS晶体管也包含PMOS晶体管,NMOS晶体管是做在P型硅衬底上的,而PMOS晶体管是做在N型硅衬底上的,要将两种晶体管都做在同一个硅衬底上,就需要在硅衬底上制作一块反型区域,该区域被称为“阱”。根据阱的不同,CMOS工艺分为P阱CMOS工艺、N阱CMOS工艺以及双阱CMOS工艺。其中N阱CMOS工艺由于工艺简单、电路性能较P阱CMOS工艺更优,从而获得广泛的应用。

关键词:互补集成电路

参考信息

https://wenku.baidu.com/view/6ecd2c4be45c3b3567ec8ba1.html

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最近更新:2019-08-29 18:20:52

创建者:刘佐巧

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